Global Foundriesは、高度なSoC向けのさまざまな SOI (Silicon on Insulator) プロセスを含む新しいテクノロジに多額の投資を行ってきました。このプロセスは、FinFET製造の高いコストを必要とせずに、高性能と超低消費電力を組み合わせる必要があるデバイスに最適です。
回路をSOIプロセスに移行すると、一般的なシリコン技術には見られない追加の課題が発生します。 デバイスは、ボディ バイアスの利点や、レイヤーのカラーリング、ダミー形状、レイアウト依存効果などのその他の要因を利用するように調整、さらにデバイス構造の複雑な変更やルールにも対処する必要があります。